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采用全MOCVD生長(zhǎng)技術(shù)突破高功率量子級(jí)聯(lián)激光器的記錄

更新時(shí)間:2026-01-16點(diǎn)擊次數(shù):221

研究背景

 

量子級(jí)聯(lián)激光器(QCL)是一種基于單極性載流子躍遷的紅外半導(dǎo)體激光器,其發(fā)光機(jī)制源于電子在量子級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)子帶間的躍遷。這種激光器憑借其獨(dú)特的發(fā)光波長(zhǎng)覆蓋中遠(yuǎn)紅外波段的特性,在痕量氣體檢測(cè)、自由空間光通信、紅外對(duì)抗等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。

 

長(zhǎng)期以來(lái),分子束外延(MBE)技術(shù)憑借其在生長(zhǎng)參數(shù)控制精度和界面陡峭度方面的優(yōu)勢(shì),成為QCL生長(zhǎng)的選技術(shù)。2020年,國(guó)外研究團(tuán)隊(duì)基于MBE技術(shù)制備的QCL單管器件達(dá)到了室溫連續(xù)輸出功率5.6 W的業(yè)界高水平。然而,MBE技術(shù)受限于高昂的成本和較低的生長(zhǎng)效率,難以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模應(yīng)用。

 

相比之下,金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)具有成本低、生長(zhǎng)效率高的優(yōu)勢(shì),是一種有望實(shí)現(xiàn)QCL大規(guī)模生產(chǎn)的技術(shù),但其在材料生長(zhǎng)參數(shù)控制精度和界面陡峭度方面稍顯不足,性能一直落后于MBE技術(shù)。



 

創(chuàng)新工作

 



面對(duì)這一挑戰(zhàn),國(guó)防科技大學(xué)半導(dǎo)體激光團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地采用MOCVD技術(shù)實(shí)現(xiàn)了QCL全外延結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng);通過(guò)原位監(jiān)測(cè)、無(wú)損測(cè)試和破壞性測(cè)試等方法,對(duì)外延材料的質(zhì)量進(jìn)行了全面評(píng)估(圖1)。



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圖1 使用MOCVD生長(zhǎng)的QCL外延結(jié)構(gòu)表征結(jié)果

 

研究結(jié)果顯示,外延材料具有光滑的表面和陡峭的異質(zhì)界面,其中,原位監(jiān)測(cè)可以清晰辨別出材料生長(zhǎng)導(dǎo)致的反射率周期性波動(dòng),以及每一層InGaAs和InAlAs材料所對(duì)應(yīng)的反射率區(qū)間。高分辨率X射線衍射衛(wèi)星峰的半峰全寬低至14",原子力顯微鏡測(cè)得表面均方根粗糙度低至0.18 nm;這些結(jié)果表明,外延材料具有較為陡峭的異質(zhì)界面和高的表面平整性。

 

腔長(zhǎng)為10 mm、脊寬為6 μm的器件,其室溫連續(xù)出光功率達(dá)到4.0 W,高電光轉(zhuǎn)換效率為15.3%。腔長(zhǎng)為10 mm、脊寬為12 μm的器件,其室溫連續(xù)出光功率達(dá)到6.3 W,高電光轉(zhuǎn)換效率為15.3%,是截至目前已報(bào)道的單脊量子級(jí)聯(lián)激光器出光功率的高世界紀(jì)錄水平。



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圖2 不同腔長(zhǎng)、脊寬器件的連續(xù)出光功率-電流-電壓、電光效率的測(cè)試曲線

 

為解決單芯片功率受限的問(wèn)題,研究團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步采用空間合束技術(shù),將多個(gè)芯片集成封裝為高功率模塊。由7個(gè)芯片組成的M7模塊在0.8 A工作電流時(shí),室溫連續(xù)出光功率和電光轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)到了9.3 W和12.2%。由19個(gè)芯片組成的M19模塊在1.0 A工作電流時(shí),室溫連續(xù)出光功率和電光轉(zhuǎn)換效率分別達(dá)到了22.4 W和7.8%,這也是已報(bào)道的中波量子級(jí)聯(lián)激光模塊出光功率的世界高記錄水平。

 

團(tuán)隊(duì)還對(duì)M7模塊進(jìn)行了嚴(yán)格的壽命測(cè)試,三個(gè)模塊的無(wú)失效時(shí)間分別達(dá)到2045小時(shí)、963小時(shí)和761小時(shí),且在整個(gè)測(cè)試期間出光功率均未出現(xiàn)衰減(圖3)。



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圖3 量子級(jí)聯(lián)M7、M19模塊的測(cè)試曲線



 

后續(xù)工作

 



后續(xù)工作中,團(tuán)隊(duì)將繼續(xù)優(yōu)化材料生長(zhǎng)和器件設(shè)計(jì),進(jìn)一步提升MOCVD生長(zhǎng)QCL的性能指標(biāo);同時(shí)開(kāi)發(fā)更高集成度的激光模塊,爭(zhēng)取在輸出功率和電光轉(zhuǎn)換效率方面實(shí)現(xiàn)新的突破,并積極探索在工業(yè)檢測(cè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、醫(yī)療診斷等領(lǐng)域更廣泛領(lǐng)域的應(yīng)用前景。


參考文獻(xiàn): 中國(guó)光學(xué)期刊網(wǎng)





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