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太赫茲系統
400-828-1550
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太赫茲晶體材料是解鎖高頻電磁波的密鑰
DTS專用高速數據采集卡實驗測試( 用于Phase- OTDR系統)
基于色散波的1 μm飛秒光纖啁啾脈沖放大系統
半導體光電探測器的主要參數說明
氟化鈣晶錠CaF2 等級選擇 筱曉上海光子
【資訊】非互易耦合的振蕩器-超材料 | Nature
GaSe硒化鎵晶體 THZ太赫茲晶體 5 x 5 x 1mm GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數,這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。
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