當(dāng)前位置:首頁(yè)
產(chǎn)品中心
光電探測(cè)器
MCT碲鎘汞探測(cè)器
product
產(chǎn)品分類1-15μm中紅外光浸沒(méi)式MCT兩級(jí)TE冷卻光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI-2TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的兩級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器,采用光學(xué)浸沒(méi)來(lái)提高器件的性能,具有好的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λ_opt條件下性能達(dá)到好。截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9μm)的限制。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。
1-12um 中紅外非冷卻光浸沒(méi)式MCT光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI系列 PCI系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器,通過(guò)光學(xué)浸沒(méi)來(lái)改善器件的參數(shù),具有優(yōu)秀的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)工作性能佳。截止波長(zhǎng)受GaAs透過(guò)率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在優(yōu)秀的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。
1-16μm MCT四級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器 PC-4TE系列是基于復(fù)雜的MCT異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器,具有好的性能和穩(wěn)定性。這些器件在λopt下工作性能最佳。設(shè)備應(yīng)該在好的偏置電壓和電流讀出模式下工作。
II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測(cè)器是一種具有優(yōu)良參數(shù)的II型超晶格兩級(jí)熱電冷卻紅外光導(dǎo)體。光導(dǎo)檢測(cè)器應(yīng)在偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲,在低頻率下的性能會(huì)降低。
2-12μmMCT紅外非冷卻光電磁探測(cè)器PEM系列器件在10.6 μm處探測(cè)性能好,是一款特別適用于探測(cè)連續(xù)波和低頻調(diào)制輻射的大感光面探測(cè)器。這款探測(cè)器被安裝在內(nèi)部含有磁性電路的特殊包裝中。